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表面组装元件的发展趋势

发布时间:2012/8/4 12:40:56 访问次数:798

    现代电子信息技术的飞速发展,极大C2012X5R0J226M地促进了新型基础电子元器件的技术进步。近年来,新型表面组装电子元器件在技术进步、片式化率、品种规格、生产规模等方面都有了长足的进步。主要发展趋势是高频化、微小型化、多功能化、组合化和多品种化。
    1.电阻器/电位器
    片式电阻器是最早产业化的片式电子元件,应用之广、产量之大居片式电子元件之首。近年来,片式电阻器向着大功率、高精度、小尺寸、网络化方向发展,目前其主流尺寸为1005、0603,更小的0402(0.4mm×0.2mm)也已占到一定的市场份额。圆柱形表面组装电阻器的尺寸已缩小到41.Ommxl.6mm。为了节省PCB面积,片式电阻阵列受到欢迎,在一个l.Ommx2.Omm的封装内可并列四个1005片阻;在一个0.6mm×1.2mm的封装内可并列四个0603片阻。
    电位器已发展到II型,其尺寸为2.Ommx2.Ommxl.5mm,质量仅为20mg。
    2.电容器
    1)叠层陶瓷片式电容器( MLCC)
    MLCC发展特别迅速,在小尺寸、大容量、高耐压、高频等方面均取得许多进展。1005已成为主流尺寸,0603也已大批量坐产。
    2)三端片式穿心电容器及阵列
    穿心电容器是很好的EMI对策元件,为了满足SMT的要求,近年来片式穿心电容器系列及阵列产品产量增长迅速。在3.2mmxl.6mmx0.8mm封装内可并列四个穿心电容器,其电容量为22pF~22000pF,抑制噪声范围为SMHz~2GHz。
    3)片式钽电解电容器
    片式钽电解元件是当前比较紧俏的产品,促使其加快了发展速度。其外形尺寸已缩小到1.6mmx 0.8mm,容量达到470UF,耐压达50V。
    4)片式铝电解电容器
    片式铝电解电容器在片式化过程中遇到一些技术难题,片式化进展较慢。近年来有所突破,已经能够生产出各种性能规格的片式铝电解电容器,特别是以高分子聚合物为电解质的铝电解电容器,性能优良,耐高压,耐高温,可承受波峰焊和再流焊,电容量大,等效串联电阻低。立式结构最小尺寸为42mmX3mm;卧式结构尺寸为7.3mmx4.3mmxl.5mm。
    5)片式薄膜电容器
    片式薄膜电容器具有电容量大、阻抗低、寄生电感小、损耗低等诸多优点。但在将它片式化并能满足SMT的要求的过中,遇到了耐热冲击和缩小封装尺寸等难题。
    现代电子信息技术的飞速发展,极大C2012X5R0J226M地促进了新型基础电子元器件的技术进步。近年来,新型表面组装电子元器件在技术进步、片式化率、品种规格、生产规模等方面都有了长足的进步。主要发展趋势是高频化、微小型化、多功能化、组合化和多品种化。
    1.电阻器/电位器
    片式电阻器是最早产业化的片式电子元件,应用之广、产量之大居片式电子元件之首。近年来,片式电阻器向着大功率、高精度、小尺寸、网络化方向发展,目前其主流尺寸为1005、0603,更小的0402(0.4mm×0.2mm)也已占到一定的市场份额。圆柱形表面组装电阻器的尺寸已缩小到41.Ommxl.6mm。为了节省PCB面积,片式电阻阵列受到欢迎,在一个l.Ommx2.Omm的封装内可并列四个1005片阻;在一个0.6mm×1.2mm的封装内可并列四个0603片阻。
    电位器已发展到II型,其尺寸为2.Ommx2.Ommxl.5mm,质量仅为20mg。
    2.电容器
    1)叠层陶瓷片式电容器( MLCC)
    MLCC发展特别迅速,在小尺寸、大容量、高耐压、高频等方面均取得许多进展。1005已成为主流尺寸,0603也已大批量坐产。
    2)三端片式穿心电容器及阵列
    穿心电容器是很好的EMI对策元件,为了满足SMT的要求,近年来片式穿心电容器系列及阵列产品产量增长迅速。在3.2mmxl.6mmx0.8mm封装内可并列四个穿心电容器,其电容量为22pF~22000pF,抑制噪声范围为SMHz~2GHz。
    3)片式钽电解电容器
    片式钽电解元件是当前比较紧俏的产品,促使其加快了发展速度。其外形尺寸已缩小到1.6mmx 0.8mm,容量达到470UF,耐压达50V。
    4)片式铝电解电容器
    片式铝电解电容器在片式化过程中遇到一些技术难题,片式化进展较慢。近年来有所突破,已经能够生产出各种性能规格的片式铝电解电容器,特别是以高分子聚合物为电解质的铝电解电容器,性能优良,耐高压,耐高温,可承受波峰焊和再流焊,电容量大,等效串联电阻低。立式结构最小尺寸为42mmX3mm;卧式结构尺寸为7.3mmx4.3mmxl.5mm。
    5)片式薄膜电容器
    片式薄膜电容器具有电容量大、阻抗低、寄生电感小、损耗低等诸多优点。但在将它片式化并能满足SMT的要求的过中,遇到了耐热冲击和缩小封装尺寸等难题。

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