估算静态电流/DD-DEEPSLEEP
发布时间:2012/2/20 21:30:12 访问次数:1339
Blackfin处理器深度睡眠模式是指在处理器关闭了所有时钟，但对处理器内核和Ll存储器仍供电时的处理器状态。在该模式下，可以测量它是指总的平均损耗中的基础静态部分。Blackfin处理器，电流图如图2.27（高性能处理器）和图2.28（低功耗处理器）所示。电源域上的静态电流是接口温度和电压的函数，但不是频率和活动水平的函数。因此，不像内部电流中的动态部分，不需要为每个离散活动水平或功率矢量计算静态电流。利用与实际应用对应的静态电流曲线，就能够估算Blackfin处埋器随Tj变化。B0530W-7
例如，某个应用中的VDDNT，为1.2V，高性能Blackfin处理器工作的Tj为+lOO℃，则相对应的DDINT电源域的/DD—DEEPSI,EEP约为375mA。
同样，某个应用中的VDDIN为1.2V，低功耗Blackfin处理器工作的Tj为+100℃，则相对应的VDDINT电源域的IDD一DFEEPSLEEP,约为lOOmA。
在给定电压和温度下，Blackfin处理器的静态功耗是常量。因此，计算Blackfin处理器内部电路的总功耗时，只需简单加上估算出的总的动态电流即可。注意，图2. 27和图2.28中所示的电流分别代表了高性能和低功耗器件的晶片制造过程中，所测量到的最坏情况下的静态电流。
例如，某个应用中的VDDNT，为1.2V，高性能Blackfin处理器工作的Tj为+lOO℃，则相对应的DDINT电源域的/DD—DEEPSI,EEP约为375mA。
同样，某个应用中的VDDIN为1.2V，低功耗Blackfin处理器工作的Tj为+100℃，则相对应的VDDINT电源域的IDD一DFEEPSLEEP,约为lOOmA。
在给定电压和温度下，Blackfin处理器的静态功耗是常量。因此，计算Blackfin处理器内部电路的总功耗时，只需简单加上估算出的总的动态电流即可。注意，图2. 27和图2.28中所示的电流分别代表了高性能和低功耗器件的晶片制造过程中，所测量到的最坏情况下的静态电流。
Blackfin处理器深度睡眠模式是指在处理器关闭了所有时钟，但对处理器内核和Ll存储器仍供电时的处理器状态。在该模式下，可以测量它是指总的平均损耗中的基础静态部分。Blackfin处理器，电流图如图2.27（高性能处理器）和图2.28（低功耗处理器）所示。电源域上的静态电流是接口温度和电压的函数，但不是频率和活动水平的函数。因此，不像内部电流中的动态部分，不需要为每个离散活动水平或功率矢量计算静态电流。利用与实际应用对应的静态电流曲线，就能够估算Blackfin处埋器随Tj变化。B0530W-7
例如，某个应用中的VDDNT，为1.2V，高性能Blackfin处理器工作的Tj为+lOO℃，则相对应的DDINT电源域的/DD—DEEPSI,EEP约为375mA。
同样，某个应用中的VDDIN为1.2V，低功耗Blackfin处理器工作的Tj为+100℃，则相对应的VDDINT电源域的IDD一DFEEPSLEEP,约为lOOmA。
在给定电压和温度下，Blackfin处理器的静态功耗是常量。因此，计算Blackfin处理器内部电路的总功耗时，只需简单加上估算出的总的动态电流即可。注意，图2. 27和图2.28中所示的电流分别代表了高性能和低功耗器件的晶片制造过程中，所测量到的最坏情况下的静态电流。
例如，某个应用中的VDDNT，为1.2V，高性能Blackfin处理器工作的Tj为+lOO℃，则相对应的DDINT电源域的/DD—DEEPSI,EEP约为375mA。
同样，某个应用中的VDDIN为1.2V，低功耗Blackfin处理器工作的Tj为+100℃，则相对应的VDDINT电源域的IDD一DFEEPSLEEP,约为lOOmA。
在给定电压和温度下，Blackfin处理器的静态功耗是常量。因此，计算Blackfin处理器内部电路的总功耗时，只需简单加上估算出的总的动态电流即可。注意，图2. 27和图2.28中所示的电流分别代表了高性能和低功耗器件的晶片制造过程中，所测量到的最坏情况下的静态电流。
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