电学参数测试

   单晶碳化硅材料的电学参数包含材料的电阻率、霍尔迁移率、载流子浓度和导电类型。H5PS2G83AFR-S6C这些电学参数可通过范德堡法来测量,关于范德堡法测半导体材料电阻率和霍尔迁移率将在下节给出详细的介绍。

   外观尺寸测定

   单晶碳化硅材料的外观尺寸包含单晶片直径、厚度及变化等。对单晶片直径的测量,首先应用精度为0,Ⅱlrm的游标卡尺或精度相当的其他设备,测试单晶片表面应保持平整、清洁、干燥。测量时,用洁净的外径千分尺在同一单晶片上,沿直径方向的不同位置取不少于3个测量点,取其平均值作为碳化硅单晶片的直径,或用满足测量要求的其他方法测量,单位为毫米(mm),其测量位置的选取参照GB/T14140.2进行测试。

    单晶片厚度及变化的测量,可分为分立点式测量和扫描式测量,其方法提要符合GB/T6618的规定,根据样品状态可选用适合的方法。

    分立点式测量法是在晶片中心点和距晶片边缘611m圆周上的4个对称位置点测量碳化硅晶片厚度,测试的中心点厚度为标称厚度,测试的5个厚度测量值的最大厚度和最小厚度的差值为碳化硅晶片的总厚度变化。测试设备应使用接触式测量仪或非接触式测量仪,精度要求为0.001mm以上,测试样品应保持表面清洁、干燥,如果待测晶片不具备参考面,应在碳化硅单晶片背面边缘处做出测量定位的标志。将待测晶片置于测量仪的平面上时,应保持晶片正面朝上,将厚度测试仪探头置于碳化硅单晶片中心位置,测量厚度记为rl,即为该晶片的标称厚度。移动晶片,使厚度探头依次位于晶片上不同的位置,分别测量厚度,记为幻、饧、兔、么、岛。扫描探头中心距碳化硅单晶片边缘不小于6mm。扫描式测量法是碳化硅晶片由基准环上的三个半球顶端支撑,在碳化硅晶片中心点进行厚度测量。其测量值为碳化硅晶片的标称厚度。然后探头按规定图形扫描碳化硅晶片表面,进行厚度测量,自动指示仪显示出总厚度变化。测试设备应使用接触式测量仪或非接触式测

量仪,精度要求为0.OO1mm以上,测试样品应保持表面清洁、干燥,如果待测晶片不具备参考面,应在碳化硅单晶片背面边缘处做出测量定位的标志。测试时,将厚度测试仪探头置于碳化硅单晶片中心位置,测量厚度记为r,即为该晶片标称厚度。移动平板上的基准环,直到探头处于扫描开始位置为止。沿扫描线路进行扫描测量,记录显示总厚度变化值,单位为微米(um)。