全球DRAM大厂竞相投入90纳米制程生产行列，由于DRAM产量将急速攀升，近来市场质疑声不断，担心DRAM产业在迈入90纳米制程后，将面临全球DRAM产能严重过剩的危机，并触动全球半导体市场步入衰退期。不过，分析机构及DRAM业者对于这样说法多不以为然，强调DRAM产业至少还有2年好日子。
市调机构iSuppli内存部门首席分析师Nam Hyung Kim指出，全球DRAM前4强包括三星、美光、英飞凌、现代在内，他们导入90纳米制程生产时间表，不仅是四大巨头的竞争的焦点，更可视为下一波半导体不景气来临前的指标。

他预估，在2005年DRAM大厂陆续导入90纳米制程初期，良品率开出缓慢，仍需一段时间调整，因此，对于DRAM供应商而言，2004～2005年市场需求仍强，以DRAM价格来说，至少还有2年好日子，还不至于落入产能过剩、削价厮杀的困境。

目前囊括全球近8成DRAM市场的前4大DRAM厂，预计自2005年上半开始，从0.11或0.10微米制程转到90纳米制程。其中，三星可望是全球首家导入90纳米制程的DRAM厂，该公司现已在Fab Line 12导入90纳米制程，生产NAND型闪存Flash)，分析师认为，三星导入90纳米制程生产DRAM已是指日可待。

英飞凌与美光亦已着手进行DRAM核心设计及生产制程改变等工作，为转型至90纳米制程铺路；至于现代虽仍身陷财务困境，但以现代与策略伙伴茂德所议定备忘录来看，现代将尽快导入90纳米制程，并将制程技术移交给茂德。

Kim预估，90纳米制程DRAM生产良品率可望自2006年起获明显改善，进而使得全球DRAM市场陷入供过于求的境地，预计2006年全球DRAM市场规模将大幅萎缩30%，使得近4年来全球DRAM产业好日子正式宣告结束，进而影响整体半导体市场进入不景气的环境。

台湾地区DRAM厂则普遍持较乐观看法，原因是全球各大DRAM厂在导入0.11微米制程时，便明显出现进度落后的情况，因此，真正导入90纳米制程进度势将比预期来得晚。DRAM厂指出，对于各大DRAM厂而言，现阶段0.11～0.10微米制程产出良品率要达到70%以上，进入主流制程阶段比预期已慢上数个季度，这将连带使得下阶段制程技术进程向后拖延。

DRAM业者指出，就当前各DRAM大厂采用90纳米制程进度来看，几乎还没有任何一家厂家采用90纳米制程技术制造样本通过验证，依据各DRAM厂进度，最快需等到2005年中才会较为明朗。部份DRAM研发人员更不讳言地表示，到目前为止对于推出90纳米制程样本可用“到处都是问题”来形容。

DRAM业者认为，至少到2005年底前，全球DRAM大厂仍将采用0.11或0.10微米制程为主流量产制程，估计到2005年第四季时，全球最多仅有20%产能会采用90纳米制程，也就是说，90纳米制程要成为主流制程，最快也要到2006年上半才较有机会，因此，根本无需担忧2005或2006年全球DRAM或半导体产业会出现严重供过于求。

此外，就算DRAM厂导入90纳米制程，也并非所有产能均将用于标准型DRAM，像是NAND型Flash、CMOS等，也将陆续采用90纳米制程，并占用标准型DRAM产能，使得标准型DRAM产出受到压抑，减缓供过于求的压力。

(转自 慧聪网)