大的应力;当应力通路晶格常数的改变得到释放时,就会产生位错(dis1ocatiOn),这种由NC7SZ57P6X晶格不匹配产生的位错可以在GaN晶体中延伸很长,甚至延伸到表面,形成V形位错。图中未表示出来的就是在生长过程中,某些外延层,如多量子阱(MQW)生长温度过低,原子迁移率过低,也会在局部外延层产生大量的位错。这些位错都容成为静电放电中的漏电通道。由于静电放电击穿GaN基LED的放电过击穿过程的发生,更难以捕捉击穿的细节和机制,因此只能通过不击穿电压和击穿电流的击穿效果来对击穿过程做出推断。

   静电击穿对LED中GaN材料的影响主要是通过对GaN材料中分布的线位错的电学特性的改变体现出来。由于GaN材料异质生长在蓝宝石衬底上,材料内的线位错密度很高。线位错延伸到界面,形成V形缺陷(Ⅵ血apc Dcfcct)。当较高的反向电压施加在LED两极时,漏电流会突增3~5倍,而且伏安特性会改变,不再是标准的二极管模型,而是发生了扭曲,伏安特性表现出电阻的特性。说明发光二极管己经被静电击穿了,但是二极管仍然可以发光,但发光寿命缩短比较明显。这是因为在反向电压下,线位错的导电性增大, 但没有完全融毁材料,形成较大的电流通路。