针对NBTI退化机制,下面列U2010B-MFPG3举了相关制程对NBTI的影响:

   (1)氢是硅氢键的主要成键物质并在NBTI中起主要作用,氘是氢的同位素,与硅结合形成⒏-D键,结合更强烈。具有更好的抗NBTI能力,在氮氢混合气体退火中采用D2而不是H2退火。

   (2)栅氧中的水增强了NBTI效应,湿氧中的NBTI效应明显地要大于在干氧中的NBT1效应,通过在器件有源区覆盖sN薄膜可以抑制水扩散进栅氧。

   (3)栅氧化层氮化I艺的优化以平衡NBTI效应和硼穿通现象。

   (4)氟对于M(E器件有很多有益效应,已知的有提高热载流子免疫力,氧化层完整性 和NBTI效应。

   (5)硼会增强NBTI效应,硼在ⅣD退火时穿进栅氧化层中。

   (6)氧化层的损伤会增强NBTI效应。

   (7)NBTI的好坏与栅极材料没有关联性。

   (8)栅的预清洗动作对NBTI的效应有潜在影响。

   (9)NBTI对于硅晶格方位有很强的敏感性。

  (10)高温和氧化层电场会加强NBTI效应。

   (11)机械应力如去除保护层或者靠近STI处对器件的NBTI敏感性有影响。

   (12)后段金属工艺对于NBTI也有很大影响,如水汽,PID等引起的器件退化。