NBTI模型
发布时间:2017/11/17 21:51:04 访问次数:486
近年来人们对NBTI做了大量的研究,并提出几种模型来解释观察到的现象。普遍接U2008B-MY受的模型是RD模型(reaction diffusion model)。该模型认为,加在栅极的负偏压在Si/Si()2界面L引起了场强相关的反应,钝化S卜H键被打断,留下F带正电的界面态(si),H 被释放到栅氧化层中,形成H?并向多晶硅层扩散,在氧化层形成了氧化层陷阱(见图15,7)。
这些界面态与陷阱导致半导体器件参数的改变。
栅极电压应力→Si―H被打断(界面陷阱)→H原子扩散和反应→形成H?→H扩散到氧化层里(形成氧化层陷阱)。
近年来人们对NBTI做了大量的研究,并提出几种模型来解释观察到的现象。普遍接U2008B-MY受的模型是RD模型(reaction diffusion model)。该模型认为,加在栅极的负偏压在Si/Si()2界面L引起了场强相关的反应,钝化S卜H键被打断,留下F带正电的界面态(si),H 被释放到栅氧化层中,形成H?并向多晶硅层扩散,在氧化层形成了氧化层陷阱(见图15,7)。
这些界面态与陷阱导致半导体器件参数的改变。
栅极电压应力→Si―H被打断(界面陷阱)→H原子扩散和反应→形成H?→H扩散到氧化层里(形成氧化层陷阱)。
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相关技术资料- 11-17NBTI模型
- 11-17热载流子效应(HCl)
- 相关IC型号
- U2008B-MY
- U2008B
- U2008B-MFPG3
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