随着工艺技术的发展,DFM愈发成为进行成功芯片制造和提高良率的关键。SY88903VKC在现在32nm或者更高级的设计中,虽然设计构架、功能、时序和功耗还是成功设计的条件,但是DFM也已经毫无疑问地成了一个新的、实在的成功没计条件。没有经过DFM,就没有成功的流片。然而,在32nm及以下的技术节点,DFM还有新的技术挑战。其中最大的挑战是从基于DFM模型的计算机程序中得到所有的热点变得越来越困难。产生这个问题的根本原因是热点变得非常复杂而且彼此关联性很强,以至于没有一个计算机程序能够模拟所有的工艺波动。

   我们发现最合理和最有效的方法是使用DFM热点图形库来增强传统DFM模型的不足之处。在图13.16中,上半部分是我们提出的获得DFM热点集合的方法;下半部分是其他半导体公司已经提出的方法,仍然有效。不同于DFM模型,图形库的建立完全是通过收集导致威胁工艺窗的版图图形而形成的。它们中的一部分能够被DFM模型产生,另一部 分并非来白于任何模型,而是借助图形软件收集硅片上的测量数据。我们把这个过程在图13.17中显示出来。图13,18给出了这些DFM热点库的应用。使用高效和精确的图形l’E配程序,DFM软件能够通过检查设计并找到和预先定义的热点图形匹配的图形。