金属刻蚀主要用于金属硅化物的形成。M()s电极的制作是在品片上沉积一层金属,第W107DIP-5一次高温处理后,金属会自对准在有硅的地方(M()S的源极、漏极、栅极)反应,形成阻值较低的金属硅化物.没反应的金属用湿法刻蚀去除,接着进行第二次高温处理,得到阻值更低的金属硅化物,而刻蚀化学品要求有高的选择比,即只与金属反应,不侵蚀金属硅化物。最早使用的金属是钛(Ti),随后逐渐推进到钴(Co)、镍(Ni)、镍铂合金(NiPt),到32nm以下CMOS器件,为了得到高集成、快速、低能耗的品质,义尝试用金属栅极替代以往的植入式 多晶硅栅极。当然,后段制程虽没用到金属湿法刻蚀←-般用CMP平坦化金属或干刻蚀金属连线通道TRENCH/VIA),但CVD、PVD、CMP的金属挡控片的网收利用仍然离不开湿法刻蚀。以下分别介绍。