这里讲的沉积膜,是指炉管和化学气相沉积(CVD)方法根据制程要求所生长的膜。S912XDP512F0VAG在膜沉积前后,需要对晶片表面进行清洗,以避免污染在制程间传递和恶化,特别是制程推进到65nn1以下,这种清洗尤其重要。膜层沉积前,晶片保存在无尘室的晶片盒里,但无尘室有等级之分,即便等级1的无尘室,也免不了环境中有机物气体和微小颗粒的影响,再加上上道制程渚如离子、分子、颗粒等带下来的污染。有机物覆盖的地方会影响膜层的正常生κ;细小颗粒会随着膜层生长,成为大的颗粒或使膜层突起;金属离子则在高温下,在膜层中扩散,对膜层的电阻率、隔离等品质造成影响。因此这些有害因子,在膜层沉积前,必须加以去除。沉积后的膜,如果表面有颗粒存在,后道若是刻蚀,会阻挡刻蚀的深入进行;若是曝光,会影响图案形态;若是化学机械研磨,会造成膜层刮伤等;冈此,对膜层沉积后的晶片,需尽可能地清除可能的污染.