晶片湿法处理的机理
发布时间:2017/11/5 17:32:37 访问次数:498
晶片湿法处理的机理
晶片湿法处理有物理方法和化学方法两种。物理方TC7WH34FU 法:使用水合动力、冲击力等物理力,靠动量传递把污染物从晶片上分拆去除。化学方法:使用物质间产生的化学反应,使污染物转变、溶解或底切,加以去除。
晶片湿法处理的范围
先进的IC制造需求各种湿法清洗和湿法刻蚀,概括讲,包括晶片炉管前后清洗、化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)前后清洗、化学机械抛光(CMP)前后清洗、光阻(离子轰击)灰化后清洗、光阻去除、前后段干刻蚀后聚合物和残余物的清除、膜层湿法刻蚀、品背/
边缘清洗等。
晶片湿法处理的机理
晶片湿法处理有物理方法和化学方法两种。物理方TC7WH34FU 法:使用水合动力、冲击力等物理力,靠动量传递把污染物从晶片上分拆去除。化学方法:使用物质间产生的化学反应,使污染物转变、溶解或底切,加以去除。
晶片湿法处理的范围
先进的IC制造需求各种湿法清洗和湿法刻蚀,概括讲,包括晶片炉管前后清洗、化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)前后清洗、化学机械抛光(CMP)前后清洗、光阻(离子轰击)灰化后清洗、光阻去除、前后段干刻蚀后聚合物和残余物的清除、膜层湿法刻蚀、品背/
边缘清洗等。
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