当先进的逻辑电路尺寸缩小到65nm及以下丁艺节点时,接触2层已经开始在功能强大的集成电路中起到关键作用。在钨接触孔刻蚀丁艺中,侧壁形状的控制、CD均匀性、 M82C54-2对下层的选择性和确保接触孔开通变得越来越重要,特别是对提高良率。由于光刻的限制,通常要求后刻蚀CD比预刻蚀CD缩小Ⅱnm以上(CD偏移)。在接触孔刻蚀l∶艺中,这么大的CD缩小.疖J确保接触孔开通在高深宽比的情形提出r挑战。u大的CD偏移,主要靠富含聚合物的刻蚀工艺来实现CT)的收缩。而富含聚合物的刻蚀,趋向丁减小所要获得的接触fL开通保证、高深宽比接触孔的侧壁形状控制和好的CD均匀性的卜艺窗口,所有这些都是更为严格的电特性所要求的。除此之外,刻蚀需要更薄的、更少木显影的光刻胶,而这需要对光刻胶有更高的选择性,来防止接触孔的粗糙度变差。

   在掩膜打开步骤中,CF.气体是}要的刻蚀剂气体。在此步中,为了产生更多的聚合物,可以引入CHF.或者CH3「纟,在接触孔的顶部就实现CD的缩小。图8.25是将这些气体比率分组的一个例子的总结,CH|∷CH△比率的范围为3.3~10。曲于(∶H?FJ的重聚合物特性,(lH|∷′CHF∷比率被选为CHi∷/CH∶F2比率的一半,以得到日标CI)Ⅱ它们的影响。r从 最终AEI CD和孔的粗糙度(圆度)来评估。结果显示,无论引人CHF3还是CH2F2,都将降低光刻胶的选择性。光刻胶的选择性随CH|/CHF;比率的减少而线性降低。尽管仅有CH4的条件下,对光刻胶的选择性优于其他组,但它的AEI CD比目标值大了8nm。相比之下,CH4/CHF3=5和CFl/CH2F2=10成功地减少AΠ CD,达到了目标值。然而,当我们检查仅有CF1的条件和那两个AEI CD达标组别的顶视图 一图8.26,就会发现CH4/CHF3=5在好的粗糙度(圆度)和达标的AEI CD方面是一个有潜力的候选者。如图8.26(c)所示,CH2F2产生的聚合物太多,导致接触孔的粗糙度变得更差。