传统的CMOS技术通过工艺微缩来提供更好的器件性能和更高的元件密度,从而在K4S561632J-UC75更低的成本下获得更好的系统性能。然而,随着工艺的不断微缩,传统的金属氧化物半导体场效应晶体管结构正受到一些基本要求的限制,它所要求的更薄栅氧化物和更高的沟道掺杂会使得器件产生高漏电和低性能。所以,需要通过新技术与迁移速率提升工艺来维持CMOS器件的微缩路线图[lJ。高介电常数栅氧化物和金属栅电极工艺已经在第4章中讨论,本章将讨论一种提升迁移速率的工艺方法,即局部应力工艺。

   应用于单晶硅上的机械应力将会改变原子内部的晶格间距,相应地改变了电子能带结构和密度,从而改变载流子的迁移率。载流子的迁移率,g为电荷,1/r为散射速率,P,z※为导体的有效质量。