随着半导体技术的飞速发展,半导体器件的特征尺寸显著减小,相应地也对芯片制造工艺提出了更高的要求,其中一个具有挑战性的难题就是绝缘介质在各个薄膜层之间均匀无孔的填充,以提供充分有效的隔离保护, NCP330MUTBG包括浅槽隔离(shallow trencll isolauon)、金属前绝缘层(pre_metal dielectric)、金属层间绝缘层(inter-meta⒈dielecthc)等。

   高密度等离子体化学气相沉积(HDP CVD)工艺自20世纪90年代中期开始被先进的芯片工厂采用以来,以其卓越的填孔能力、稳定的沉积质量、可靠的电学特性等诸多优点而迅速成为0.25um以下先进I艺的主流。