在HDP CVD工艺问世之前,大多数 NCP5661DT33RKG芯片厂普遍采用等离子体增强化学气相沉积(PE CVD)进行绝缘介质的填充。这种工艺对于大于0.8um的间隔具有良好的填孔效果,然而对于小于0.8um的间隔,用P:CVD工艺一步填充这么高的深宽比(定义为间隙的深度和宽度的比值)的间隔时会在间隔中部产生夹断(pincl△off)和空穴(见图4.12)。其他一些传统CVD工艺,如常压CVD(APCVD)和亚常压CVD(SACVD)虽然可以提供对小至0.25um的间隔的无孔填充,但这些缺乏等离子体辅助沉积产生的膜会有低密度和吸潮性等缺点,需要增加P:CVD薄膜对其进行保护,或者进行后沉积处理(如退火回流等)。这些工序的加人同样提高了生产成本,增加了整个I艺流程的步骤和复杂性。

   为了同时满足高深宽比间隙的填充和控制生产成本,诞生了HDP CVD工艺,它的特点在于,可以在同一个反应腔中同步地进行沉积和物理轰击(见图4.13),从而实现绝缘介质在沟槽中的bottom up生长。