尽管LPC0是将工艺温度控制在表面反应限制区,对反应剂浓度的均匀性要求不是非常严格,PIC12F609但如果气体是从反应器一端进人另一端被排出E水平式反应器所示彐,随着反应剂的消耗,沿着气流方向反应剂浓度将逐渐降低,因此衬底硅片上淀积的薄膜厚度也沿气流方向变薄,这种现象被称为气缺效应。气缺效应可通过沿气流方向提高工艺温度来消除,即控制加热器沿着气流方向温度逐步提高。这就如同川℃VD的基座是沿着气流方向有一倾角一样。气缺效应还可通过合理设计分布式气体人口方法来解决,这需要特殊设计的反应器,并限制注入气体所产生的气流交叉效应。另外,增加气体流速,气体人口前端所消耗的反应剂绝对量不变,但比例却降低了,更多的反应剂气体能够输运到下游,在各个衬底硅片上所淀积的薄膜厚度也就相对均匀了。即通过提高反应室的气体流速也能解决气缺效应带来的问题。

   影响LPC、①薄膜质量和淀积速率的因素主要有温度、△作气体总压、各种反应剂的分压、气流均匀性及气流速度。另外,工艺卫生对薄膜质量也有很大影响.如果薄膜淀积之前反应室颗粒物清理不彻底或衬底清洗不彻底,就无法获得高质量的淀积薄膜。