氮化硅无论是晶格常数还是热膨胀系数与硅的失配率都很大,囚此,在凯N1/s界面硅的缺陷密度大,PIC12LF1840-I/SN成为载流子陷阱和复合中心,影响硅的载流子迁移率,从而影响元器件性质;而且氮化硅薄膜应力较大,直接淀积在硅衬底上易出现龟裂现象。囚此,通常在硅衬底上淀积氮化硅之前先制各一薄氧化层作为缓冲层。

   集成电路工艺中使用的氮化硅薄膜都是采用CX/TD I艺制各的,主要是LPCD和PEC、V两种方法。PC、0sLN4工艺温度较高,在700~850℃之间,是中温工艺;而PECXlD si3N1工艺温度较低,在200~400℃之问,是低温工艺。工艺温度越高制各的氮化硅薄膜的质量就越好。丁艺温度越高,薄膜的密度就越大(在2,8~3.2酽cm3之间变化),硬度就越高,抗钠、耐腐蚀性也就越强。因此，又称为硬(质)氮化硅,而PEC、⑩S1\又称为软(质)氮化硅。IPC`si,N1比PECl/D si3N衽有更好的化学计量比。PECˇVs辶`中通常含有相当数量的H原子(在10%~30%之间),以H―N形式存在于薄膜中。囚此,有时又将PECVD方法淀积的氮化硅的化学式记为凯:Ny H之。LPC`0和PEC、①都是低压工艺,如果反应器及气体管道有些微的泄漏,使空气进人的话,或者是反应气体中含有微量的氧气的话,薄膜中还会含有氧原子,以⒏―O形式存在于薄膜中。不同工艺方法制各的氮化硅薄膜的用途有所不同,对其质量要求也就有所不同。另外,考察S厶N4薄膜致密度的方法与C、0sio薄膜一样,一般可以采用通过薄膜在氢氟酸腐蚀液中的腐蚀速率来粗略判断。腐蚀速率越快,薄膜密度越低,有氧存在,腐蚀速率也会加快。⒏3N4薄膜的光学特性――折射率也作为衡量其质量的一个指标。符合化学计量比、致密度高的S13N4的折射率为″=2.0。当薄膜的折射率″)2.0时,其值越大,表明该薄膜中硅含量越高,薄膜富硅;反之,则说明致密度低,原因是由于薄膜中存在氧,且随着氧含量的增加折射率降低。