在水平式LPC`①的批量化生产中,由于衬底是密集摆放的,两衬底硅片之间间距一般只有5m鹾右, PIC12F529T39A气流中的反应剂是通过硅片和反应室之间的环形空间再扩散到硅片之间的狭窄空隙中的,只有反应剂的扩散速率快,扩散时间短,才能保证扩散到每个衬底表面的反应剂浓度均匀。而反应剂气相扩散系数和反应室工作气压成反比,降低气压能加快反应剂的扩散速率;但气压降低衬底表面边界层厚度却有所增加。综合作用是气压降低反应剂扩散速率的提高更加明显,例如,反应室工作气压由常压降至几十帕时,通常反应剂的扩散速率能提高上百倍,极大地缩短了气相质量输运时间。

   因此,降低工作气压是衬底密集摆放的前提。

   由于水平式LPCⅥ)多采用热壁式反应器,整个反应室内的温度为相同的高温,这使得反应剂会在气相和室壁面发生反应,造成颗粒物污染。而若把置作气压由常压降至几十帕甚至更低时,反应剂密度大幅降低,分子平均自由程增长,反应剂在气相和室壁面发生反应的现象会明显减少。而且即使有颗粒物出现,也多会被真空抽气系统从反应器中抽走。因此,降低工作气压也是热壁式反应器避免颗粒污染的有效方法。LPCVD的颗粒污染现象好于APC`0。

   IPC、⑩的工艺温度通常是控制在表面反应限制区。囚此,薄膜淀积速率对温度非常敏感,而对反应剂浓度的均匀性要求不高。这也是因为热壁式反应器I作在低压时气压易于波动,且衬底密集摆放使得片内反应剂浓度的均匀性降低,相对而言更易于控制温度精度的缘故。电阻加热器的控温精度一般在±0.5℃,高精密的可达±0.1℃,这完全能满足LPC`0对温度的精确控制。