原来,值为1nF的电容在本案例所产生的辐射频率的范围内的阻抗要比10pF的结电容小很多,1nF旁路电容的连接相当于把Δσ“短路”了,如图5.48所示。 LAUNCHXL-CC1350US

   这也许是个不可思议的结果,但是事实还是发生了。经过这样改动后,也许有人会怀疑,111F电容的存在会使Em//B抗干扰能力降低,理由是1nF电容比原来的10pF结电容大很多,在E「r/B干扰的频率下,阻抗也会小很多,那么自然流经数字电路的电流也会增大(如图5.⒆所示),因此EFT/B测试也许会不能通过。

   经过测试,结果正好相反,抗EFVB干扰的能力并没有降低,相

反提高了很多,原来只能通过信号线±1kⅤ测试的本产品,现在能通过±2kⅤ测试(拆除1nF电容后,只能通过±1kⅤ)。 以下是数字电路地与模拟电路地之间接1rlF旁路电容后反而使E「r/B抗干扰能力提高的解释。