干扰影响设各电路
发布时间:2017/6/8 21:40:06 访问次数:470
要分析原因,先大致看看EFT/B信号干扰测试的特点与实质。EFT/B(电快速瞬变脉冲群),由电路中的感性负载断开时产生。其特点是不是单个脉冲,NDD03N80Z-1G而是一连串的脉冲,图1.12所示是电快速瞬变脉冲群波形,而且其单个脉冲波形前沿Jr可达5ns,半宽r可达50ns,这就注定了脉冲群干扰具有极其丰富的谐波成分。幅度较大的谐波频率至少可以达到1/π莎Γ,即可以达到0O MHz左右,电源线、EUT、信号线与参考接地板之间均有寄生电容存在。这些寄生电容的存在给EFT/B干扰提供高频的注入路径。因此,试验时EFVB干扰电流会以共模的形式通过各种寄生电容注入到电路的各个部位,如图2.59所示,对电路产生较大的影响。
一连串的脉冲可以在电路的输入端产生累计效应,使干扰电平的幅度最终超过电路的噪声门限。从这个机理上看,脉冲串的周期越短,对电路的影响越大。当脉冲串中的每个脉冲相距很近时,电路的输入电容没有足够的时间放电,就又开始新的充电,容易达到较高的电平。当这个电平足以影响电路正常的工作时,系统就表现出受到干扰。
要分析原因,先大致看看EFT/B信号干扰测试的特点与实质。EFT/B(电快速瞬变脉冲群),由电路中的感性负载断开时产生。其特点是不是单个脉冲,NDD03N80Z-1G而是一连串的脉冲,图1.12所示是电快速瞬变脉冲群波形,而且其单个脉冲波形前沿Jr可达5ns,半宽r可达50ns,这就注定了脉冲群干扰具有极其丰富的谐波成分。幅度较大的谐波频率至少可以达到1/π莎Γ,即可以达到0O MHz左右,电源线、EUT、信号线与参考接地板之间均有寄生电容存在。这些寄生电容的存在给EFT/B干扰提供高频的注入路径。因此,试验时EFVB干扰电流会以共模的形式通过各种寄生电容注入到电路的各个部位,如图2.59所示,对电路产生较大的影响。
一连串的脉冲可以在电路的输入端产生累计效应,使干扰电平的幅度最终超过电路的噪声门限。从这个机理上看,脉冲串的周期越短,对电路的影响越大。当脉冲串中的每个脉冲相距很近时,电路的输入电容没有足够的时间放电,就又开始新的充电,容易达到较高的电平。当这个电平足以影响电路正常的工作时,系统就表现出受到干扰。
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