因为金属Al的导电性极好,而且易以溅镀的方式生长,所以川是半导体工艺中最常用也是最便宜的金属材料。但因为溅镀方法的台阶覆盖性较差, OPA334AIDBVT当进入亚微米领域(即金属线宽低于0,5um以下)日寸,以溅镀方法得到的金属川无法完美地填入接触孔或通孔,造成接触电阻偏高,甚至发生断路导致器件的报废。因此,在半导体金属化置艺中使用CXID法沉积一耐热金属填入接触孔或介层孔,取代部分铝合金,这种工艺方法称为接触孔栓塞或通孔栓塞。

   作为栓塞的耐热金属主要有W、Tl、Ta、Pt及Mo等过渡金属,其中以W的使用最为广泛,下面以W金属为例来说明接触孔栓塞及通孔栓塞的工艺及钨回刻技术。

   半导体器件中接触孔刻蚀完成后,其底层大多是s或多晶硅,因此接触孔就是提供一个通道,使上层金属与底层⒊接触。为克服金属川与介电层的附着力问题,并降低接触电阻及提高器件町靠性,川的金属化I艺过程如下:先用C`⊙法沉积一层Tl及TiN,再利用快速热处理形成钛硅化物(TlS1),Tl/△N在金属化工艺中称为黏着层;接着以CX△D法沉积W金属,使其填人接触孔,囚CNTD方法沉积的薄膜的台阶覆盖性佳,在接触孔处不致产生空洞,但沉积的厚度必须能够接触孔完全填满;然后以干法刻蚀的方法将介电层表面覆盖的W金属去除.留下接触孔内的W,至此已完成接触孔栓塞的制作工艺,这个干法刻蚀的步骤称为“钨回刻”。最后沉积金属Al并制作~Al金属线的图形,至此,整个金属化工艺完成。