电子束光刻胶也是涂在衬底表面用来实现图形传递的物质,通过电子束曝光使得光刻胶层形成所需要的图形。通常用于非光学光刻中的光刻胶由长链碳聚合物组成。 SC-20S在相邻链上碳聚合物接收电子束照射的原子会产生移位,导致碳原子直接键合,这一过程称为交联。高度交联的分子在显影液中溶解较慢。根据聚合物照射前后发生交联还是化学键断裂可以将电子束光刻胶分为正性胶和负性胶。如果光刻胶在曝光后,其聚合物发生化学键断裂,而分裂为容溶于显影液的分子,则为正性光刻胶。反之,当曝光后光刻胶中的交联占优势,光刻胶由小分子交联聚合为大分子,曝光后的光刻胶难溶解于显影液,则为负性光刻胶。当光刻胶显影后,通过金属化/剥离或刻蚀/去胶工艺就可以将所要的图形转移到衬底上。

   常用的正性电子束抗蚀剂有PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)胶,是最早研制的,具有很高的分辨率,可达10nm,但灵敏度较低。PMMA胶的典型工艺条件是在165~180℃,前烘30~60min。显影液为MIBA(甲基异丁基甲酮):IPA(异丙醇),其配比为l:3至1△。显影后浸泡IPA30s即可将显影区域去除。EBR9是丙烯酸盐基类抗蚀剂,灵敏度比PMMA高10倍(20kV电子束),但分辨率仅为PMMA的1/10,最小分辨率只有0.2um。它具有曝光速率快、寿命长、显影时不溶胀等优点,广泛用于掩膜制造中。其他的正性光刻胶还有高分辨率的ZEP、PBS等。但相对PMMA而言,灵敏度更高的光刻胶则分辨率要略低一些。负性光刻胶有更好的灵敏度,但容易在显影过程中膨胀放大,使图形失真,且其分辨率也比正胶低。