思考题

   (1)如果铝电极上有划伤,对晶体管有什么影响?

   (2)铝膜腐蚀后,为何在合金化时才去胶,而不用浓硫酸去胶?

   (3)都可用何种方法去铝膜上的光刻胶? FGA6540WDF

   合金化

   合金化的目的是在较高温度退火,使铝膜与硅片黏结牢同,且在与硅接触的窗口形成欧姆接触。同时,使反刻铝的光刻胶膜高温氧化,生成二氧化碳、水汽等被氧气带走,从而去胶。

    工艺设备与工艺条件

   工艺设备:合金化炉,氧气瓶,体积流量计,石英舟。

   工艺条件:炉温520℃,时间10~15雨n,氧气流量1.5I/min。

    具体操作步骤

   (1)将陪片放在石英舟上,推入合金化炉恒温区,通人氧气1.5I'/min,1O mlll后取出。观察陪片表面胶膜是否去除干净,如果表面有铝金属光泽,即去胶干净;否则,未去干净,应将陪片再推人炉内加时5雨n。如还未去净,应增加氧气量,升温,再试,最终确定合金化工艺条件。

   (2)注意:合金化温度最高一般不可超过550℃,因硅铝合金的最低共熔温度是577℃。当合金化温度较高、时间较长时,在铝表面会出现合金亮点;相反,合金化温度较低、时间较短时,光刻胶去不干净。

   (3)按陪片确定的工艺条件进行合金化,将硅片(正片)摆放在石英舟上推入合金化炉恒温区,去胶,之后将石英舟拖至炉口,待用。

   (4)停炉,停气。