在1980年前后,用AlGaAs为材料,己经用液相外延或者金属有机物化学气相淀积法生长了LED结构。 B9P-SHF-1AA最先是日本仙台大学的西泽润一教授研制成功,后来在stan1叩公司发展并进行生产。采用透明衬底技术的GaAlAs/GaAs双异质结构的LED发光效率接近10%。第一支AlGaInP器件是半导体激光器,在日本研制成功田,随后几年便通过MOVPE技术生长了高效率的AlGaInP LEDu’到。19%年F.A(血等人又开发了GaP透明衬底技术lsl,将红色和黄色双异质结材料制成LED,其发光效率提高到⒛lWW,使LED的发光效率超过了白炽灯的151WW,后又提高到40~5011n/W,采用多量子阱结构后,红光光效达到73.711n/W。采用截头锥体倒装结构技术,红、黄光LED可分别达10211n//W和6811n/W,外量子效率提高了5~7倍。用此材料制咸的525nm绿光LED光效也达到了181WW。台湾晶元光电一直以来在四元LED方面成绩卓越,其公司网站⒛08年报道了61snm波长的14mil红色LED在10mA电流下光效达1绣lWW,ΩOnm波长的14mil红色LED在⒛lnA 电流下光效达901河W,590nm波长的14mil黄色LED在10mA电流下光效达1251111W。⒛10年该公司报道其尺寸为14血l×14mil(036mm×o,36mm)的A⒗aInP LED,发射波长为61OIlm,在⒛lnA下光效达到1681WW,在6111A时光效达到18011n/W,创了新的记录。