真正意义的世界上第一只LED,是由Ho1ony酞等人[l,剑于19⒍年利用GaAsP材料制得的红光LED。B8P-VH从此可见光发光二极管步入商业化发展进程。1968年,利用掺氮工艺使GaAsP LED器件的效率达到了11四W,并且能够发出红色、橙色和黄色光。⒛世纪80年代,采用液相外延方法生长的AlGaAs发光二极管,使红色发光二极管性能得到了很大提高,发光效率达到101WW。AlGaAs红色发光二极管成为第一支超过白炽灯发光效率的光源。A1GaAs新材料生长技术的发展使得高质量AlGaAs/GaAs量子阱得以应用于LED结构中,载流子在量子阱中受到的限制效应显著增强,大大地提高了LED的发光效率。1991年,日本东芝公司和美国HP公司研制成InGaAlP mOnm橙红色超高亮度LED。19”年,InGaAlP590nm黄色超高亮度LED达到实用化。同年,东芝公司研制的InGaAlP573nm黄绿色超高亮度LED的轴向光强达2cd。四元AlGaInP材料系应用于发光二极管使得内量子效率进一步提高,研究的重点也从内量子效率转向外量子效率。