Wcn Fcllg等人阝叨研究了Tio2/S⒑2DBR膜系的Tio2在退火前后的反射率差异。 B10P-SHF-1AA如图5-锸所示(a)为TitOl膜层XRD是纩2缃描曲线,结果表明在退火前TitOv膜层主要结晶态是△305,富氧环境下375℃退火30min后,其主要结晶态变为Ⅱo2。说明富氧环境高温退火后,膜层的结晶态由⒒305向Tio2转变,而Tio2比Ⅱ305的光吸收率明显降低,图5砰6(b)所示为退火前后A1203、△3O5/A1203和Tio2从bo3的透射光谱,可明显观察到退火后透过率升高。这也表明常用的Sio2/Tio2DBR结构对温度和沉积气氛及压力非常敏感。不过在GaN基LED的DBR背镀制程中,一般△02的沉积环境温度不会超过⒛0℃,因为要考虑到在沉积时有离子源在辅助轰击,这一方面可以起到补氧的作用,另一方面也是一个物理轰击的过程,会使得被轰击的温度升高,如果环境温度太高的话,会引起LED欧姆接触性能变坏,从而表现出/l升高。