因为蓝宝石的绝缘性,所以传统LED的N和P电极都做在芯片出光面的同一侧。P电极由薄的透明导电层和厚的金属焊盘构成。这种结构的P电极位于芯片出光面上,EE80C196KB16因此P电极焊盘金属挡住了P电极下方的有源层发出的光,即P电极金属将下方发光区发出的光大部分被吸收而造成光损失。此结构的另一问题是由于n~GaNˉ层和透明导电层的导电特性(主要是电阻率)不同,会造成电极周围电流拥挤⒓",电流拥挤影响发光均匀性和远场发射的稳定性,并且由于局部区域过高的电流密度引起的电流拥挤会降低LED的光提取效率u司,也影响LED的可靠性。

   因此在P电极正下方,透明导电层与p-GaN之间做一层绝缘层介质(如sio或者si3N4或者Abo3等)充当电流阻挡层,如图5-1所示。电流阻挡层一方面可以起到阻挡电流朝P电极下方扩散,减小流向P电极金属下面有源区的电流密度,从而减小由于P电极金属吸光、挡光而造成的光损失;另一方面通过电流阻挡层将电流引导至远离P电极的区域,减小P电极附近电流拥挤,可以提高出光功率。但是在实践中发现,由于一方面增加了电流阻挡层使得在有源区中的电流密度增加,另一方面由于电流阻挡层增加了台阶、蚀刻不彻底等多方面的原因,一股增加电流阻挡层后在相同的驱动电流下的电压会略有升高,其升高的幅度由芯粒的总体面积、CBL的宽度和形状、电极形状的设计、CBL和ITo的厚度、CBL蚀刻的条件等因素共同决定。