LED芯片制造中用到的沉积工艺主要是PECVD沉积氧化硅、氮化硅、MC33941EGR2氮氧硅等用于钝化层(Passivation Layer)或者电流阻挡层(CuⅡent Blocking Laycr,CBL)。如图午13所示为PECVD的原理图。它是利用低温等离子体做能量源,晶片置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电(或另加发热体)使晶片升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在样品表面形成固态薄膜。一般说来,采用PECⅤD技术制备薄膜材料时,反应物进入反应室后,薄膜的生长主要包含3个基本过程:①在非平衡等离子体中,电子与反应气体发生初级反应,使得反应气体发生分解,形成离子和活性基团的混合物;②各种活性基团向薄膜生长表面和管壁扩散输运,同时发生各反应物之间的次级反应;③到达生长表面的各种初级反应和次级反应产物被吸附并与表面发生反应,同时伴随有气相分子物的再放出。