刻蚀效果的主要参数有刻蚀速率、陡直度、选择比、对GaN的损伤等。除了Cb虍α3作MC13213为GaN的刻蚀气体外,也可用Cb与Ar或者Hc等l°l。干法蚀刻Sio2、silNl或者siON通常用的是含F或Cl的气体,如CF4、S凡等,如用C△刻蚀Sio2的反应式如下:

   In203+6HCl→2InC13+3H20                 (4-7)

   2snO2+8HC1→2SnC△+4H2O                 (4-8)

   I助03+6HNo3→2h(NOD3+3H20              (⒋9)

   2sn02+8HN03讠2snlNo3)4+4H20                (4△0)

   ITo蚀刻液中湿法蚀刻的反应主要是式(⒋7)和式(⒋8),溶液中的FcC13主要是起缓冲的作用,用于调整溶液中HCl的平衡,其反应式为:

   FcC1+3H20~Fc(oH)3+3HC1              (4△1)

   在⒏o2的蚀刻中也常用BOE溶液来做湿法蚀刻,BOE是HF、NH4F和比0按照一定比例混合而成。其反应方程式为:

   si02+6HF一H2+siF6+2H20

   NH4F~NH3+HF

   式(⒋13)中NH4F起缓冲剂的作用,用于调整溶液中HF的平衡。

一般而言,湿法蚀刻成本低廉,易于批量生产,但是其蚀刻后的线条不够精细,工艺控制不佳,很容易产生过蚀刻或者蚀刻不完全等异常。