PECVD工艺沉积So2薄膜时影响薄膜的主要参数有射频功率、压力、温度、气体流量比等。MLV-005D研究表明lbl,随着射频功率的增大,淀积速率先迅速增加,然后增加逐渐变缓,最后又逐渐降低。一定程度上,随着压强的增加,反应气体的浓度增加,沉积速率增加,薄膜的折射率略有下降。随着温度的上升,沉积速率稍有上升,薄膜质量和应力状态受到很大影响。有研究表明冂,从低温到高温,应力的变化趋势是从压应力变为张应力。其理论解释为:压应力是由于在膜的沉积过程中,到达膜表面的离子的横向移动的速率太小,来不及到达其“正常”的晶格位置就被后来的离子覆盖,这样离子就相当于被阻塞在某一位置,最终就会膨胀,形成压应力。张应力的形成是由于在膜的形成过程中,由于反应中间产物的气化脱附,而参加淀积的原子,由于其迁移率不够大而来不及填充中间产物留下的空位,最后形成的膜就会收缩,产生张应力。