在进行LED外延材料的选取时,要考虑以下4个基本原则:

   满足器件辐射波长要求的直接带隙半导体材料作为发光有源区。对于半AAT1274IW0-T1导体材料,其带隙或禁带宽度通常用能量单位电子伏(eV)来表示,设LED的辐射波长为双um),可用下式方便地求得有源区材料的禁带宽度:

   例如,对于波长为650nm的红光LED,可以求得有源区材料的禁带宽度应为l。z÷0.65=1.91cV。

   禁带宽度大于有源层带隙的材料作为限制层,且限制层与有源层间要晶格匹配。其中宽带隙的限制层是为了将载流子限制在小的有源区内,实现相同注入电流下有源区载流子浓度的提高,从而提高复合率;晶格匹配是为了降低缺陷密度,减小非辐射复合。

   有效的p型和n型掺杂手段,从而能制备成pn结,这样才能实现有效的电注入。例如,很长一段时间,C・aN基蓝光LED不能实用化的一个主要原因就是解决不了p型限制层的掺杂问题。