外延生长技术是LED的基础和核心,它决定了LED发光的电学特性和光学特性。现AAT1271IWO-T1代高亮度的LED器件都采用异质外延结构,在进行LED的外延生长时,要考虑以下几个方面:①选取什么样的材料来制备所需的LED,包括有源区材料、限制层材料、窗口层材料及衬底材料等;②选取什么样的工艺来制备相应的LED材料,包括外延方法、原材料和工艺条件等的选取;③如何优化材料制备的工艺条件,以使LED的器件性能达到最优。对于波长从570nm的黄光到甾Onm的红光的LED,可以通过在GaAs衬底上外延AlGaInP材料得到,因此称其为红黄光LED外延技术。在本章中我们将介绍AlGaInP材料的基本性质及其MOCVD外延工艺,并给出以AlGaInP为有源区的甾Onm共振腔发光二极管的材料外延和制备工艺。