MOs电容的设计
发布时间:2016/6/30 21:26:41 访问次数:1446
MOS电容的结构与MOs晶体管一样,是一个感应的沟道电容。当栅上加电压形成导电沟道时电容形成,M0280RJ200一极是栅,另一极是沟道,沟道这一极由衬底或源(漏)端引出,如图8.37所示。电容的大小取决于面积、氧化层的厚度及氧化层的介电常数,
由于N阱存在电阻,因此N阱电容器的下极板明显存在着串联电阻。可通过在上极板的两边或四边都放置接触孔的方法来降低串联电阻。
MOS电容的结构与MOs晶体管一样,是一个感应的沟道电容。当栅上加电压形成导电沟道时电容形成,M0280RJ200一极是栅,另一极是沟道,沟道这一极由衬底或源(漏)端引出,如图8.37所示。电容的大小取决于面积、氧化层的厚度及氧化层的介电常数,
由于N阱存在电阻,因此N阱电容器的下极板明显存在着串联电阻。可通过在上极板的两边或四边都放置接触孔的方法来降低串联电阻。
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