芯片烧毁。随着集ADC0809CCV成度的增加,器件尺寸在减小,按等比例缩小原理,器件尺寸缩小佬倍,电源电压减少佬倍,掺杂浓度增加庀倍。这一比例缩小规则已令人满意地使器件沟道长度缩小到90nm,但这里有两个致命的可靠性问题。首先是线电流密度增加七倍,使电迁移危险增加,其次是栅氧化层中的电场增强。如果器件为保持与现有逻辑兼容而以保持恒定电源电压的等比例缩小时,这些影响将更为 严重,电流密度将以缩小因子的三次方增加,电场也将随缩小因子而增强,这使功率密度增强,结温更高。

   MOS器件的栅氧化层对电场增强特别敏感,高场强的电场将引起薄氧化层的击穿和热电子的俘获。栅氧化层的击穿是MOs器件的基本失效机理,目前MOs器件的栅氧化层厚度可以小于1.2nm。

   当过大的输入信号或电源电压加到芯片上时,会产生器件的大面积烧毁或芯片上产生严重的过应力击穿点,这就是芯片烧毁。