如果电容在所有的四条边上都有金属相连,″值取较小的尺寸,电压差值可能比公式计算出的结果要小。M0280RC200当电容的形状像个正方形时,中心处的电压差值将比公式计算出来的值小一半。

   在设计和测试氧化层测试结构时,应当考虑到如下3种寄生误差:表面漏电流、隔离漏电和平行电容。表面漏电是圆片级斜坡击穿测试最关心的问题,可以表现为氧化层测试结构的测试点之间的低电阻值。实际漏电位置与设计有关,可能是测试点之间的直接漏电,或者连接到测试结构的金属线之间的漏电。当在一个湿度较低的环境中测试,FN电流比表面漏电流大时,或者由于钝化层的存在,有助于限制表面漏电流时,表面漏电就不会产生明显的问题。上述条件并不是总能满足,当测试条件较差时,在测试结构的设计中应考虑加上屏蔽环。屏蔽环与被屏蔽的线处于同一电势,通常做法是通过一个运算放大器的高阻输入端测量被测线以驱动一条单独的线。如果采用这种系统,探针本身并没有被屏蔽,探针可以用来连接运算

放大器的输出端到屏蔽环处。从上述分析可知,薄氧化层结构可以用电容、电阻和电压源组成的网络来代表。图8,36所示是一个薄栅氧化层的网络示意图。图中,%ad为加在测试点处的电平,单位为V;q配为通过测试点处和连线到地的电容,单位为pF;Rk为到地的漏

电阻,单位为Ω;R血为连接线的电阻,单位为Ω;R∮为硅电阻,单位为Ω;/F:为由于硅栅功函数差和氧化层中的电荷产生的电压降,单位为V;凡为多晶栅耗尽区的电阻,单位为Ω;q为多晶栅耗尽区的电容,单位为pF;气x为薄栅氧化层的电导,单位为1⒑;咣x为薄栅氧化层的电容,单位为pF;Rs为硅耗尽区的电阻,单位为Ω;α为硅耗尽区的电容,单位为pF。