氧化层的完整性是半导体工业中最复杂的可靠性问题,因为许多与工艺有关的过程都会影响到氧化层的完整性。M0268SJ200这些因素包括针孔、固定电荷、可动离子、电子/空穴陷阱、界面态、杂质、溅射工艺在氧化层界面引入的正电荷、si―o悬挂键等。

   当用多晶作栅电极时,由于受到在栅电极内可能形成耗尽层和电极功函数差的影响,在测试时实际作用在氧化层的电压可能不同于施加在栅电极上的电压,实际的击穿电压可能与测出的击穿电压不一致。

   MOS电容参数和寄生因素

   栅电极和硅衬底之间的功函数差与栅电极和衬底的掺杂有关。对衬底掺杂浓度为1016cm3的N型硅,若电极是铝电极,典型的功函数差是一0.25V。工艺上常用重掺杂的多晶硅代替铝作栅电极,典型的不同电极材料的功函数差和在硅衬底上简并掺杂的多晶硅的功函数差可在相关文献上查找到。如果多晶不是简并掺杂的,功函数差是多晶中掺杂激活能的函数。