埋层形成后,生长外延层。同埋层生长的工艺相同。首先沉积二氧化硅和氮化硅。 ES1D-13-F光刻出N阱区域并注入磷。随后推阱并热生长氧化层,利用N阱上方的厚氧化层做阻挡层,在N阱以外的区域注入硼,形成P阱,这样可以少使用一块光刻版,如图4.35所示。

   阱完成后,进行有源区的光刻和刻蚀。采用多晶硅缓冲LOCOs来提高工艺的集成度。先生长一薄层二氧化硅,再沉积多晶硅,最后积氮化硅。进行有源区光刻和腐蚀。随后进行防止寄生场效应管开启的硼注入,如图4.36所示。

   接着,进行N+集电极的光刻和注入,注入元素为磷,注入后进行推阱,使N+集电极扩散到埋层N,以与埋层M相连接。随后采用基极光刻版进行光刻并注入硼,如图4.37所示。