铜在硅和s⒑2中都有很高的扩散速率,这会破坏器件的性能。传统的阻挡层金属对铜的阻挡作用不够好,铜需要由一层薄膜阻挡层完全封装起来, EL5372IU这层封装薄膜的作用是加固附着并有效地阻止扩散。对铜来说这个特殊的阻挡层金属要求:阻止铜扩散,低薄膜电阻,对介质材料和铜都有很好的附着,与CMP平坦化工艺兼容,具有很好的台阶覆盖,填充高深宽比间隙的金属层是连续、等角的,允许铜有最小厚度,占据最大的横截面积。实验表明,%对铜来说有很好的阻挡和附着特性。

   在集成电路制造技术中,通常采用△N/Ti作为Al、W塞的阻挡层金属材料。在互连金属AlsCu/TiN/△结构上,第一层△的沉积,通常采用磁控DC溅射,使用的气体是氩,沉积厚度在200~500A之间,接下来第二层作为阻挡层之间的△N,其制作方法是将一定厚度的△,先以磁控DC溅射,沉积在衬底的表面,然后再将衬底置于含N2或NH3的环境中,借高温将这层⒎氮化成TiN。另一种沉积TN方法是反应溅射,金属靶成分是△,利用氮气与氩气所混合的反应气体,经离子轰击而溅射出的△,与等离子内因解离反应形成的氮原子一起,成TiN并沉积在衬底的表面。通常TN厚度为500~1500A之间。

   △N除了可以作为阻挡层用以外,在钨塞工艺中,还可以用来作为钨回蚀时的刻蚀的中止层。另外,为了防止金属表面的反光对光刻胶曝光的影响,△N还可以用来作为铝层的防反射层。