通常用做阻挡层的金属是具有高熔点的难熔金属。在硅工 EL5371IUZ艺中,用于多层金属化的普通难熔金属有△、W、%、Mo、Co及Pt。用△作为阻挡层的优点是增强铝合金连线的附着,减小接触电阻,减小应力以及控制电迁移。为了得到好的阻挡层特性,在沉积之前,硅片在其空腔经历了消除硅片上的自然氧化层和氧化物残留物等清理步骤(称为反溅射刻蚀)。

   ⒎W和TiN是两种普通的阻挡层金属材料,它们用于阻挡硅衬底和铝之间的扩散。△N也被广泛用做铝层上的抗反射涂层以改进光刻确定图形的过程,在钨塞的制作过程中,△N还可以用来作为钨的黏附层。然而TiN和硅之间的接触电阻不小。为了解决这个问题,△N被沉积之前,一薄层△(几百埃或更少)被沉积,这层△能与下层的硅材料反应形成低阻的化合物△Si2,因此,△与si的界面可以形成良好的欧姆接触。这在一种称为“自对准金属硅化物”(self-AⅡgncd⒍licide)的工艺中可以得到很好的实现。在热Al工艺中,π膜还可作为湿润层,有利于Al膜的流动,防止空洞的产生,而且△膜可以和N2反应,形成△N。

   阻挡层金属材料的典型制作方法是在集成设备里沉积△和TiN,以避免氧化物在两层之间形成,示意图如图2.20所示。