为了消除诸如浅结材料扩散或结尖刺问题,常采用阻挡层金属化方法。阻挡金EL5371IU属层是沉积金属或金属塞,其作用是阻止金属层上下的材料互相混合。对于0.35um工艺水平的器件,其阻挡层金属厚度为400~ω0nm;对于0.25um工艺水平的器件,阻挡金属层的厚度约10011m,而对于0,18um工艺水平的器件,其阻挡层金属厚度约20nm。

   阻挡层金属在集成电路制造中被广泛应用。为了连接铝互连金属线和硅源漏之间的钨填充薄膜接触,阻挡层金属阻止了硅和钨相互进入接触点,也阻止了钨和硅的扩散以及任何结尖刺。

   可接受的阻挡层金属的基本特性:有很好的阻挡扩散特性,分界面两边材料(如钨和硅)的扩散率在烧结温度时很低,具有高电导率且很低的欧姆接触电阻,在硅和金属之间有很好的附着,抗电迁移,在高温下有很好的稳定性,抗侵蚀和氧化。