CMOs集成电路的基本制造工艺

   0.18umェ艺为CMOS工艺发展的一个关键节点。在0.18um以上,CMOS工艺的隔离方式OP2177ARZ-REEL是采用局部氧化(Loc时0xidation of Ⅲicon,LOCos)隔离,互连采用金属铝。而0.18um工艺则采用浅沟槽(ShallOw Trench Isolation,sTI)隔离,阱也采用倒退阱(Rc饣ogradc wcll),金属互连可以用铝做互连,但大都采用铜做互连。

   产业界一般将CMOS工艺分为前段(Front End)和后段(Back End)。前段工序形成器件的源漏区域,后段工序完成器件的金属互连。本节首先介绍0,18um CMOS 工艺的前段工序,然后分别介绍采用金属铝和铜做互连的后段工序。