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电子束曝光的特点

发布时间:2016/6/13 21:33:34 访问次数:1556

    电子束曝光的特点:电子束曝光的精度较高。电子束的斑点可以聚焦得很小,HAT2189WP而且聚焦的景深很深,可用计算机控制,精度远比肉眼观察要高。电子束曝光改变光刻图形十分简便,电子束曝光机是把各次曝光图形用计算机设计,改变图形只要重新编程即可。电子束曝光虽然不需要掩膜版,但电子束曝光设各复杂,成本较高。

   直接分步重复曝光有3个独特的优点:(1)它是通过缩小投影系统成像的,因而可以提高分辨率,用这种方法曝光,分辨率可达到1~1.5um;(2)不需要1∶1的精缩掩膜,因而掩膜尺寸大,制作方便,由于使用了缩小透镜,原版上的尘埃、缺陷也相应地缩小,因而减小了原版缺陷的影响;(3)由于采用了逐步对准技术可补偿硅片尺寸的变化,提高了对准精度,制造投影掩膜版更容易。逐步对准的方法也可以降低对硅片表面平整度的要求。

   深紫外光大致定义为180~33Onm间的光谱能量。它进一步分为3个光带:200^ˇ260nⅡb 260-285nΠb 285'ˇ315nm。

    电子束曝光的特点:电子束曝光的精度较高。电子束的斑点可以聚焦得很小,HAT2189WP而且聚焦的景深很深,可用计算机控制,精度远比肉眼观察要高。电子束曝光改变光刻图形十分简便,电子束曝光机是把各次曝光图形用计算机设计,改变图形只要重新编程即可。电子束曝光虽然不需要掩膜版,但电子束曝光设各复杂,成本较高。

   直接分步重复曝光有3个独特的优点:(1)它是通过缩小投影系统成像的,因而可以提高分辨率,用这种方法曝光,分辨率可达到1~1.5um;(2)不需要1∶1的精缩掩膜,因而掩膜尺寸大,制作方便,由于使用了缩小透镜,原版上的尘埃、缺陷也相应地缩小,因而减小了原版缺陷的影响;(3)由于采用了逐步对准技术可补偿硅片尺寸的变化,提高了对准精度,制造投影掩膜版更容易。逐步对准的方法也可以降低对硅片表面平整度的要求。

   深紫外光大致定义为180~33Onm间的光谱能量。它进一步分为3个光带:200^ˇ260nⅡb 260-285nΠb 285'ˇ315nm。

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