显影剂( developer)：在经过DG506AEWI芯片制造工艺中的掩膜和曝光确定去除区域后，用来去除光刻胶的化学药品，器件( device)：单结元件，如晶体管、电阻或电容器。去离子水( DI water)：通过其电阻率测量该水的纯度，标准是l 8 Mgl,乙硼烷( B2H6)：-种气体，经常用于向硅中掺硼。芯片(die)：晶圆上由划片线分隔的单元。当所有晶圆制造步骤完成后，芯片经过切割分开分开后的单元称为芯片。

   芯片黏结( die bonding)：封装步骤、通过导电的黏合剂或金属合金将单个芯片黏接在封装体f：芯片分拣( die sort)：参见晶圆电测，通常称为中测。介质( dielectric)：绝缘材料。在加电压时不传导电流。半导体I：艺中常用两种介质，即氧化硅和氮化硅。扩散( diffusion)：半导体生产工艺．将少量杂质（掺杂物）加入衬底材料如硅或锗中，并使掺人的杂质在衬底中扩散。该工艺过程对温度和时间依赖性很强，扩散率（diffusivity】：掺杂物在半导体中移动或扩散的速率。二极管( diode)：只允许电流单向流动的器件。    ’双列直插封装(DIP)：长方形集成电路封装体。其管脚沿长边排列并向下弯折以便插接．分立器件( discrete device)：只具备单一功能的电路。包括电容、电阻、晶体管和熔断丝等．位错( dislocation)：晶格中的断续现象，是一种晶格缺陷。

    扩散的MOS( DMOS)：一种晶体管结构。源极和漏极间距（沟道长度）很小沟道长度通过连续两次从同一处扩散形成。施主( donor)：某种可以将半导体变为N型的杂质。贡献额外的“自由”电子，电子携带负电荷掺杂物( dopant)：一种可以改变半导体导电性的元素  町以对导电过程提供卒穴或电子  对硅的掺杂物往往来源于元素周期表中的第IIJ族和第V族元素