难熔金属最广泛的用途是在多层金属结构中的通孔填充。这个工艺称为塞填充( plug filling)，填充的通孑L称为塞（见图13.7）。 HIP6006CB或者用选择性钨淀积通过表面的孔到第一层金属，或者用CVD技术填充这种通孔8。在可用的难熔金属中，大量使用钨是作为铝硅的阻挡层、MOS栅互连和作为通孔塞。钨依靠其良好的台阶覆盖、降低电阻、抗电迁移和耐高温而受到青睐。然而，它与硅的接触电阻和黏附性的挑战需要额外的层，形成典型的钨堆叠( stack)。在钨淀积之前，Ti首先（接触）被淀积，其次是

TiN（增加黏附性）。此外，通孔可用钨填充，反蚀刻或用化学机械处理(CMP)工艺进行平坦化。

   溅射淀积

   历史悠久的金属淀积工艺是真空蒸发9。蒸发发生在一个不锈钢罩中，晶圆固定在由电子流加热蒸发的金属源土方的旋转的圆顶七（见图13.8）。随着铝合金和深宽比的通孔覆盖台阶的引入，这种方法遇到厂限制。不同的金属以不同的速率蒸发，它使得淀积均匀的合金很困难。更大直径晶圆的到来限制了蒸发系统的生产速率。溅射淀积（溅射）解决了这些问题，并成为标准的金属淀积方法。