列出在热氧化反应中的两种氧化剂
发布时间:2015/10/29 20:36:08 访问次数:1175
学习完本章后,你应该OTI002153能够:
1.列出硅器件中,二氧化硅膜层的3种基本用途。
2.描述热氧化机制。
3.概略了解和讽别反应炉的基本结构组成。
4.列出在热氧化反应中的两种氧化剂。
5.简略画出干氧化反应的系统图。
6.画出一个典型的氧化工艺流程图。
7.解释在二氧化硅膜层经过热生长形成膜层厚度里的反应时间、压力及温度之间的相互关系。
8.描述快速热氧化、高压氧化、阳极氧化的反应原理及用途。
参考文献
[1 ] Cleasvelin, C. R., Columbo, L., Nimi, H., and Pas, S., Oxidation, an,d Cate Dielectric.s, Han,dbook ofSemicon,ductor Man,ufacmrin,g Techrzology,2nd ed. ,2008 , CRC Press , New York , NY : 9-I .[2] Hu, C., "MOSFET Scaling in the Next Decade and Beyond," Semicon,du,ctor In,ternation,al, Cahners
Publishing,Jun. 1994:105.
[ 3 ] Wolf, S., and Tauber, R.,.S///con Processin.g for the. VLSI Era ,1986 , Lattice Press , Sunset Beach , CA : 1986.
[4 ] Cise, P., and Blanchard, R., Modern, Semicon,du.ctor Fabrication, Techn,ology, 1986, Reston Books, Reston,
VA :43.
[ 5 ] Sze , S. M., VLSI Techn.ology,1983 , McGraw-Hill Book Company , New York , NY :137.
学习完本章后,你应该OTI002153能够:
1.列出硅器件中,二氧化硅膜层的3种基本用途。
2.描述热氧化机制。
3.概略了解和讽别反应炉的基本结构组成。
4.列出在热氧化反应中的两种氧化剂。
5.简略画出干氧化反应的系统图。
6.画出一个典型的氧化工艺流程图。
7.解释在二氧化硅膜层经过热生长形成膜层厚度里的反应时间、压力及温度之间的相互关系。
8.描述快速热氧化、高压氧化、阳极氧化的反应原理及用途。
参考文献
[1 ] Cleasvelin, C. R., Columbo, L., Nimi, H., and Pas, S., Oxidation, an,d Cate Dielectric.s, Han,dbook ofSemicon,ductor Man,ufacmrin,g Techrzology,2nd ed. ,2008 , CRC Press , New York , NY : 9-I .[2] Hu, C., "MOSFET Scaling in the Next Decade and Beyond," Semicon,du,ctor In,ternation,al, Cahners
Publishing,Jun. 1994:105.
[ 3 ] Wolf, S., and Tauber, R.,.S///con Processin.g for the. VLSI Era ,1986 , Lattice Press , Sunset Beach , CA : 1986.
[4 ] Cise, P., and Blanchard, R., Modern, Semicon,du.ctor Fabrication, Techn,ology, 1986, Reston Books, Reston,
VA :43.
[ 5 ] Sze , S. M., VLSI Techn.ology,1983 , McGraw-Hill Book Company , New York , NY :137.