- 产品的制造过程日益复杂,对产品的质量要求日益提高2019/2/1 10:35:16 2019/2/1 10:35:16
- 随着科技的发展,产品的制造过程日益复杂,对产品的质量要求日益提高,电子产KA2903品的不合格品率由过去的百分之一、千分之一降低到百万分之一(ppm)。乃至十亿分之一(ppb),仅靠产品检验剔除...[全文]
- 折射率和消光系数是表征材料光学特性的物理量2019/2/1 10:23:54 2019/2/1 10:23:54
- 椭圆偏振光是最常兕的偏振光,当两个方向上的电场分董具有可变相位差和不同的振幅时,光矢量末端在垂直于传播方向的平面L描绘出的轨迹为-椭圆,故称为椭圆偏振光。椭圆偏光法是一种非接触式、非破坏性的薄膜...[全文]
- 较早公开使用的SC1浓度一般较高2019/1/30 20:09:27 2019/1/30 20:09:27
- 氧化硅膜随着稀HF的溶解,颗粒和离子污染一并去除,这时的硅表面非常洁净,只有A278308L-12键,ml且表面是疏水性。这样的表面有很强的活性和不稳定性,易吸附污染(颗粒、金属)和被氧化。囚此...[全文]
- 大规模集成电路制造有很多种可能的沾污2019/1/30 19:54:07 2019/1/30 19:54:07
- 在大规模集成电路制造中,如晶片L1mm2的区域,就可制造几百万颗光学显微镜无法辨认的器件,而各种污染,如颗粒、金属离子污染、HCPL-060L-000E有机物污染、薄膜污染等,时刻影响着芯片器件...[全文]
- 晶圆的边缘在半导体制造中成为良率限制的主要来源之一2019/1/30 19:52:01 2019/1/30 19:52:01
- 晶边刻蚀是指采用千法刻蚀去除晶圆边缘处所不需要的薄膜,它首先出现于2007年初,LAM公司出产的2300C()RONUS是关键的晶边刻蚀机之一。HCNR201-000E由于在65nm及以下I艺节...[全文]
- 漏饱和电流(IdMt)是表明器件电性能的基准尺度2019/1/30 19:40:07 2019/1/30 19:40:07
- 关键T艺参数的变化,如多晶硅栅刻蚀的CDU、由密集到稀疏区的刻蚀偏差(TPEB)、HC55185DIMZ线宽粗糙度(I'WR)以及多晶硅栅形状(特别是底部形状)等,必须被很好地控制,以改善器件性...[全文]
- 均匀的功率沉积在这里是指线圈中的电流保持方位角均匀2019/1/30 19:23:20 2019/1/30 19:23:20
- MPRS3D展示了在一个圆筒形反应器内,由进气口、抽气口和非均匀功率沉积所造成的硅刻蚀的方位角不均匀性。基本条件包括:压力10mT°rr,⒛00W的13.56MHz射频功率沉积,500K的气体温...[全文]
- 刻蚀机模拟器需要具有更多的通用功能2019/1/30 19:21:12 2019/1/30 19:21:12
- 所需要的千法刻蚀机模拟器应该强调基础等离子现象,并可以扩展应用到各种反应器形状、复杂的反应类型和不同的激励方式,比如RIE、CCP和1CP。HAT1036R-EL-E从基本的物理学研究的角度来看...[全文]
- 电子束曝光的优点是分辨率较高2019/1/30 16:51:45 2019/1/30 16:51:45
- 掩膜版数据有以下集中格式:具有等级分别(hierarchical)的GDSII,最早由美国通用电气的Calma部门开发,现在法律归属权由Cadence设计系统公司所有。JA3215-OS-A04...[全文]
- NMOS器件的电子迁移率2019/1/29 17:15:15 2019/1/29 17:15:15
- 应力记忆技术(StressMemohzationTechnique,SMT),是90nm技术节点以下兴起的一种着眼于提升NMOS器件速度的应力工程[21J。sMT的特点在于,该技术凭借拉应力作用...[全文]
- 非晶态碳硅具有较高的刻蚀率2019/1/29 17:11:07 2019/1/29 17:11:07
- 虽然嵌人式锗硅技术从90nm技术节点后已经被广泛应用于大规模量产产品的PMOS器件,KDZTR15B嵌人式碳硅技术的应用却显得异常困难,其中的一个重要原因在于源漏区难以生长出高质量的碳硅。碳硅外...[全文]
- 通过NF3的刻蚀来重新调整沟槽的形状2019/1/29 14:42:00 2019/1/29 14:42:00
- 通过多步循环沉积蚀一沉积来实现对所填充结构轮廓的调整,来降低沟槽填充的难度。JM38510/20602BCA这样可以在保持HDP本身填充能力的同时,通过NF3的刻蚀来重新调整沟槽的形状,使得更多...[全文]
- 前栅极工艺路线主要采用MOCVD沉积HsiO2019/1/29 14:28:24 2019/1/29 14:28:24
- 问题的解决方法之一是采用金属代替多晶硅作为栅极,这样既可以避免HK)2和多晶硅界面上缺陷态的产生,同时金属栅极的高的电子密度,可以把偶极性分子的振动屏蔽掉,从而提高器件的通道内的迁移率。JM38...[全文]
- 将导线在绝缘支架上绕制一定的匝数(圈数)就构成了电感器2019/1/23 19:56:34 2019/1/23 19:56:34
- 将导线在绝缘支架上绕制一定的匝数(圈数)就构成了电感器。常见的电感器的实物外形如图⒋14(a)所示,根据绕制的支架不同,电感器可分为空芯电感器(无支架)、PIC12F615-I/SN磁芯电感器(...[全文]
- 光敏电阻器的参数很多2019/1/23 14:45:39 2019/1/23 14:45:39
- 光敏电阻器的参数很多,主要参数有暗电流和暗阻、亮电流与亮阻、额定功率、最大工作电压及光谱响应等。(1)暗电流和暗阻FEP16BT在两端加有电压的情况下,无光照射时流过...[全文]
- 测量电阻2019/1/22 20:51:22 2019/1/22 20:51:22
- 测量电阻万用表测电阻时采用电阻挡,D⒎830型万用表的电阻挡具体又分为⒛0Ω挡、⒛OOΩ挡、20kΩ挡、⒛OkΩ挡和2000kΩ挡。1.测量一只电阻的阻值MAX103...[全文]
- 直流电流与直流电压共用刻度线2019/1/21 22:11:03 2019/1/21 22:11:03
- 测量直流电流A40MX02-PL68MF-47型万用表的直流电流挡具体又分为50ItA、0。smA、SmA、50mA、50OlmA和5A挡。下面以测量流过灯泡的电流大小为例来说明直...[全文]
- 给电路增加一个元器件-电阻器2019/1/21 21:09:48 2019/1/21 21:09:48
- 在图⒈3(a)电路中,给电路增加一个元器件-电阻器,发现灯光会变暗,该电路的电路图如图⒈3(b)所示。为什么在电路中增加了电阻器后,灯泡会变暗呢?原来电阻器对电流有一定的阻碍,从而使流过灯泡的电...[全文]
- 杜绝将敏感信号线布置在PCB的边缘2019/1/14 21:09:56 2019/1/14 21:09:56
- 根据以上的原理分析,很容易得出以下两种处理措施:(1)重新进行PCB布线,将在PCB上的复位信号印制线左移,使其在GND平面覆盖的区域内,JS28F320C3BD70而且远离PCB...[全文]
- 分析扩展模块及扩展模块与主机的互连设计发现2019/1/3 21:24:55 2019/1/3 21:24:55
- 根据测试结果,判断主机本身能否通过辐射发射测试,而且扩展模块l/0端口的EFT/B测试等级也只有±1kⅤ,因此问题一般会出在扩展模块上,或者扩展模块与主机的互连线上。NG80386SX33分析扩...[全文]
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