本章概述了外延概念、工艺方KA324DTF法、种类及用途。详细介绍了制备硅外延片常用的气相外延工艺和先进的MBE工艺的方法、原理、设备及技术。对LPE、SPE等外延方法及先进外延技术发展趋势进行了简介。最后介绍了外延缺陷种类、生长机理及外延层检测。

   单元习题一

   1.以直拉法拉制掺硼硅锭,切割后获硅片,在晶锭顶端切下的硅片,硼浓度为3×1α5catolns/σ′。当熔料的∞%已拉出,剩下10%开始生长时,所对应的晶锭上的该位置处切下的硅片,硼浓度是多少?

   2,硅熔料含原子百分比的磷为0.1%,假定溶液总是均匀的,计算当晶体拉出原子百分比为10%、50%和90%时的掺杂浓度。

   3.比较硅单晶锭CZ、MCZ和FZ这3种生长方法的优缺点。

   4.直拉硅单晶,晶锭生长过程中掺杂,需要考虑哪些因素会对硅锭杂质浓度及均匀性带来影响?

   5.磁控直拉设备本质上是模仿空间微重力环境来制备单晶硅的。为什么在空问微重力实验室能生长出优质单晶?

   6,硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向,通常偏离E100彐或E111彐等晶向一个小角度,为什么?

   7,外延层杂质的分布主要受哪几种囚素影响?

   8.异质外延对衬底和外延层有什么要求?

   9,电阻率为⒉ˇ3Ω・cm的ˉ⒏,杂质为磷时,5kg硅,需要掺入多少磷杂质?

   10.比较分子束外延(MBE)生长硅与气相外延(VPE)生长硅的优缺点。