例如,nMOs电路的互连系统是采用Pts←T←Pt-Au多层金属系统。该系统工艺为: PMBD914

   ①溅射Pt,然后700℃热处理形成P♂欧姆接触层;

   ②溅射Ti,作为黏附层,把s与上面的Pt黏结起来;

   ③溅射Pt,作为过渡层,防止Tl与Au形成高阻物;

    ④真空蒸镀Au,作为导电层实现各元件的互连,且利于键合外电极。

   多层金属系统工艺复杂,实际使用时应尽量减少层数。多数场合用二层或三层就能起到与上面四层相同的作用,如T卜Au系统、CNAg系统、Al Pt-Au系统等。

    化合物薄膜

     Pvd也用于制备化合物薄膜,如介质薄膜、难熔金属硅化物薄膜。早期的芯片制作中,最外层的二氧化硅薄膜作为钝化膜和保护膜,采用电子束蒸镀方法来制各。这主要是由于PVD工艺衬底温度较低,甚至可以在室温下进行淀积。以真空蒸镀工艺制备这类钝化膜、保护膜,最关注的问题是所淀积化合物成分与源成分可能有较大差异。还有必须要考虑在蒸发温度下化合物不能发生分解。当前,磁控溅射也广泛用于制备这类能起到钝化作用和保护作用的化合物薄膜,如采用磁控溅射△艺制各氧化物或氮化物薄膜,而高纯度靶材的获取是溅射工艺中最受关注的问题。

   在制备内电极或互连系统时起隔离作用和(或)势垒作用的难熔金属硅化物薄膜通常也是采用溅射工艺来制各的。

   溅射工艺具有的开放式多技术融合,以及方法简单适应性强的特点,使得其被用于制各其他方法难以淀积的所有薄膜。