- 电感元件2008/10/7 0:00:00 2008/10/7 0:00:00
- 电感元件在开关转换器中储存的是磁场能量，它与电容器是互为对偶的无源储能元件。带有磁心的电感元件，其电感量不是常数，它与磁导率肛、绕组匝数w和磁心的几何尺寸ac、lc的大小有关。电感元件在开关...[全文]
- 电感的基本公式2008/10/7 0:00:00 2008/10/7 0:00:00
- 电感的基本计算式为： 式中 a——磁心截面积（m2）； lc——磁心的磁路平均长度（m）； w——绕组匝数。 磁心磁导率μc＝f（b），是非线性函数，μc约为（...[全文]
- 电感的磁心气隙2008/10/7 0:00:00 2008/10/7 0:00:00
- 假设磁心为环形，磁心有气隙时的励磁安匝数为 式中 ε——气隙长度； hδ——气隙的磁场强度； hm——磁心的磁场强度。 式中（1）在b-h平面上为一条...[全文]
- 电感元件储能（Energy）2008/10/7 0:00:00 2008/10/7 0:00:00
- 磁心无气隙时电感储能 式中 vc——磁心体积；△b=b2-b1； b2、b1——积分的上下限。 当b1＝0、b2＝b时，则有 磁心有气隙时， 式中 ...[全文]
- 直流滤波电感2008/10/7 0:00:00 2008/10/7 0:00:00
- 图1为正激式开关电源的输出滤波器lfcf，其中，滤波电感h的作用是使负载电流波动减小，滤波电容cf的作用是使输出电压的纹波减小。当 负载突减时，滤波电容储能；负载突增时，电容cf上的储能首先...[全文]
- 自饱和电感2008/10/7 0:00:00 2008/10/7 0:00:00
- 自饱和电感（selfjsaturable inductor）是一个带磁心的绕组、根据绕组中流过的电流大小，磁心的饱和程度有所不同，从而改变了绕组的电感量。如果磁心的磁特性接近于矩形系数较高的...[全文]
- 可控饱和电感2008/10/7 0:00:00 2008/10/7 0:00:00
- 当采用交、直流同时励磁时，磁自饱和电感的磁状态在一个周期内按局部磁滞回线变化，改变直流偏磁分量，可以改变磁心的等效磁导率和等效电感量l，这是磁放大器的工作基础。磁心所受励磁为正向方波序列脉冲...[全文]
- 励磁电感与漏电感2008/10/7 0:00:00 2008/10/7 0:00:00
- 为了在变压器磁心中产生b，必须有磁场强度h。也即受励磁安匝的作用，磁心才会磁化。 欢迎转载,信息来自维库电子市场网（www.dzsc.com） ...[全文]
- 漏电感（Leakage Inductance）2008/10/7 0:00:00 2008/10/7 0:00:00
- 绕组均匀分布的无气隙环形磁心，可以认为没有漏磁（leakage flux），就是所有与绕组相连的磁通均集中在磁心内。一般而言，c形或e形磁心中，与绕组相连的磁通总有一部分流经空气，称为漏磁通...[全文]
- 推挽式、全桥式等开关转换器的变压器2008/10/7 0:00:00 2008/10/7 0:00:00
- 推挽式、全桥式等开关转换器的变压器，在一个周期内受到正、负脉冲电压交替励磁的作用，因此变压器磁心的磁状态在一个周期内分别在基本磁化曲线b－h平面的第一象限和第三象限内变化。在（＋bm，-bm...[全文]
- 正激式转换器2008/10/7 0:00:00 2008/10/7 0:00:00
- 正激式转换器，由于其变压器初级电流有直流分量，因此最好在磁心上加一个小的气隙。磁心磁状态只在b－h平面的第一象限内变化，磁心不能得到充分的利用。在晶体管导通时t∈［0，duts］，初级承受正...[全文]
- LPKF推出结构更紧凑更高速度ProtoLaser S机型2008/10/6 0:00:00 2008/10/6 0:00:00
- lpkf激光电子股份有限公司总部位于汉诺威附近的garbsen，从事实验室样品电路板制造系统的开发和生产已经有30多年的历史了，生产的设备具有创新性，功能强大，并且采用非化学方法制造电路板。...[全文]
- 安全气囊触发自动防障安全特性及约束系统2008/10/6 0:00:00 2008/10/6 0:00:00
- 安全气囊在辅助约束系统(srs)中发挥着至关重要的作用。目前，乘用车安装安全气囊已经成为一种标准。大家都知道在汽车发生碰撞时，安全气囊和安全带可降低乘员头部和上身撞击车内部件的几率。它们还可...[全文]
- 串联晶体管的功率损耗2008/10/6 0:00:00 2008/10/6 0:00:00
- 线性调节器式直流稳压电源的主要缺点是串联晶体管的功耗过大。所有的负载电流都必须通过串联晶体管，其功耗等于（udc-uo）io。在多数情况下，串联npn型晶体管的最小电压差（udc=uo）=2...[全文]
- 串联PNP型晶体管的低压线性调节器2008/10/6 0:00:00 2008/10/6 0:00:00
- 串联pnp型晶体管的线性调节器最小压差可以降至1v，甚至0.5v。其原因结合如图说明如下。 如图a 串联npn型晶体管的线性调节器和pnp型晶体管的线性调节器 如图a为串联n...[全文]
- PCB 丝印规范及要求2008/10/6 0:00:00 2008/10/6 0:00:00
- 1 .所有元器件、安装孔、定位孔都有对应的丝印标号为了方便制成板的安装，所有元器件、安装孔、定位孔都有对应的丝印标号，pcb 上的安装孔丝印用h1、h2……hn 进行标识。 2 .丝印...[全文]
- ST推出更高能效SuperMESH3功率MOSFET2008/9/25 0:00:00 2008/9/25 0:00:00
- 意法半导体进一步提高照明镇流器功率mosfet晶体管的耐受能力、开关性能和能效，功率mosfet被用于镇流器的功率因数校正器和半桥电路以及开关电源内。supermesh3的创新技术，结合更低...[全文]
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