- 电源层和接地层电容2008/10/11 0:00:00 2008/10/11 0:00:00
- 多层pcb通常包括一对或多对电压和接地层。电源层的功能等同于一个低电感的电容器，能够约束在元件和信道上产生的rf电容。机壳一般会有多个接地点连接到接地层，有助于减小板子的机壳和板间、板中的电...[全文]
- 去耦电容的选择举例2008/10/11 0:00:00 2008/10/11 0:00:00
- 在高速时钟电路中，尤其要注意元件的rf去耦问题。究其原因，主要是因为元件会把一部分能量耦合到电源/地系统之中。这些能量以共模或差模rf的形式传播到其他部件中。陶瓷片电容需要比时钟电路要求的自...[全文]
- 大电容的选择举例2008/10/11 0:00:00 2008/10/11 0:00:00
- 在电源分配网络中元件的转换常会引起电流的波动，由于电压下降，电流的扰动会导致器件的功能异常。在最大容性负载情况下，大电容既可为电路提供能量储存，又可以给元件提供直流电压及电流，从而为电路提供...[全文]
- 选择电容的考虑因素2008/10/11 0:00:00 2008/10/11 0:00:00
- 在选择一个具体电容时，不仅要考虑其自谐振频率，还同样要考虑电容的介质材料工艺。电容产品中最常用的介质材料是btc（barium titanite ceramic）。这种材料有高的介电常数，能...[全文]
- 集成芯片内电容2008/10/11 0:00:00 2008/10/11 0:00:00
- 现代微处理器、数字信号处理器和专用集成电路等技术的飞速发展，已成为电磁干扰的主要来源。如今 的主要辐射源不再是由不合理的步线、板结构、阻抗失配或电源不稳定原因所产生。器件的工作频率已从 20...[全文]
- PCB的走线结构2008/10/11 0:00:00 2008/10/11 0:00:00
- 一个电路系统所依附的物理实体就是pcb，通过在介质表面或介质层之间金属化走线（trace）实现元件的互连（包括电气连接和机械连接），而不同层面上的走线通过电镀过孔（via）连接。 如图...[全文]
- 高速电路PCB的网络、传输线、信号路径和走线2008/10/11 0:00:00 2008/10/11 0:00:00
- 严格地讲，网络是一个限于低速、集总参数电路的概念。如图1所示，不管元件pl的引脚a到元件r1、p2、p3的b、c、d引脚互连用哪种物理连接（微带线、带状线、同轴电缆还是跳线），也不管中间是否...[全文]
- 高速电路PCB “地”、返回路径、镜像层和磁通最小化2008/10/11 0:00:00 2008/10/11 0:00:00
- 在广泛使用网络这一概念的低速电路中，“地”同样大行其道，“地”本身就是一个网络。在低速电路中，之所以不用考虑信号的返回路径，就是认为所有的电流都将汇合到“地″这个无穷大的容器，同时认为“地”...[全文]
- 高速电路PCB返回电流的分布2008/10/11 0:00:00 2008/10/11 0:00:00
- 为了保证高速信号的伯效传输，最合理的措施就是为每一个信号路径提供至少一个参考平面作为其返回路径，这就形成了微带传输线和带状线传输线结构。那么返回电流是怎样在参考平面上分布的昵？解决这个间题需...[全文]
- 高速电路PCB不理想的参考平面2008/10/11 0:00:00 2008/10/11 0:00:00
- 理想的参考平面应该为其邻近信号层上的信号路径提供完美的返回路径，理想的参考平面应该是一个完整的实体平面。但在实际系统中，并不总存在这样一个实体平面。比如，—个参考平面可能被分配给多个电源网络...[全文]
- 高速电路PCB参考平面的切换2008/10/11 0:00:00 2008/10/11 0:00:00
- 通常人们将传输线设计中的返回路径都靠近信号路径，而且信号源和负载都跨接在信号路径和返回路径之间，比如微带线，信号源和接收器都跨接在导带和“地”之间，用上面的理论解释是很明了的。但是，在多层p...[全文]
- 控制电路的SPICE仿真模型2008/10/10 0:00:00 2008/10/10 0:00:00
- 开关电源中的反馈控制电路现已广泛使用集成电路如sg1524（单环控制），uc1846（双环控制）等。 图1为集成电路sg1524的仿真模型符号。 其中，包括电压误差放大器e/a、...[全文]
- 高速电路去耦和旁路特性2008/10/10 0:00:00 2008/10/10 0:00:00
- 什么是去耦和旁路？去耦和旁路可以防止能量从一个电路传播到另一个电路上去，进而提高电源分配系统的质量。 回顾前面章节的介绍，可知数字逻辑电路通常涉及两个可能的状态，“0”和“i”（参考图...[全文]
- 去耦和旁路电路的能量储存2008/10/10 0:00:00 2008/10/10 0:00:00
- 因为电容器的基本功能是储存电荷，所以理想的去耦电容器可以提供逻辑装置进行状态变换时所需的所有电流。 其中，δi为转换电流；δv为允许供电电压的改变（波动）；δt为切换时间。 ...[全文]
- 去耦和旁路电路属性—阻抗2008/10/10 0:00:00 2008/10/10 0:00:00
- esr表示电容器中的电阻损耗。这个损耗包括金属电极分布电阻、内部电极间的接触电阻，以及外部端接电阻。高频下的趋肤效应会增加器件的引线电阻值，所以高频esr大于直流下的esr。 esl也...[全文]
- 去耦和旁路电路属性—谐振2008/10/10 0:00:00 2008/10/10 0:00:00
- 当选择旁路和去耦电容时，会牵涉到计算电容器的充、放电自谐振频率，这可通过逻辑系列结合所使用的时钟速度计算。电容器的电容值选择还是必须根据该电容器在电路中的容抗。低于谐振频率以下，电容器表现为...[全文]
- 去耦和旁路电路特性2008/10/10 0:00:00 2008/10/10 0:00:00
- 在电容器中，介质材料决定了自谐振频率的零点值。所有介质材料都是温度敏感的。电容器的电容值将随环境温度的变化而改变。在特定温度下，电容值大量改变可能导致运行性能的降低，或作为旁路和去耦电容作用...[全文]
- 电子镇流器的封装2008/10/10 0:00:00 2008/10/10 0:00:00
- 一个完整的电子镇流器包括输入整流、功率因数校正模块和dc／ac逆变器，因此必须封装成合适的尺寸，以满足传统的电磁镇流器在家庭中的应用。图所示为一个通用的电子镇流器的封装外形。 图 ...[全文]
- 电容充电泵集成块2008/10/10 0:00:00 2008/10/10 0:00:00
- 电容充电泵集成块的原理电路如图所示。其中图（a）所示为降压电路。u。值是ui值的一部分，与c1、c2的比值有关。工作中s1闭合，s2打开,然后s1打开，s2阀合, s1与s2交替闭合工作；图...[全文]
- 半导体器件的散热器设计2008/10/10 0:00:00 2008/10/10 0:00:00
- 半导体开关器件所产生的热量，在开关电源中占主导地位，其热量主要来源于半导体开关器件的开通、 关断及导通损耗。采用软开关方式（zcs或zvs）可以使电路中的电压或电流在过零时开通或关断，可以最...[全文]
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